国度学问产权局信息显现，深圳市金誉半导体股份有限公司央求一项名为“一种半导体器件的制备本领及半导体器件”的专利，公开号CN122205899A，央求日历为2026年2月。
专利提要显现，本发明波及半导体制造技巧界限，公开了一种半导体器件的制备本领及半导体器件，包括：基于第一掩膜版，在外延层远隔衬底层的一侧名义上酿成第一注入窗口；基于第一注入窗口对外延层进行离子注入处置，以在外延层内酿成P型柱区和第一源区；基于第二掩膜版，在外延层远隔衬底层的一侧名义上酿成第二注入窗口；基于第二注入窗口对外延层进行离子注入处置，以在外延层内酿成电流扩张区和第二源区；基于第三掩膜版，在外延层远隔衬底层的一侧名义酿成有源区注入窗口；基于有源区注入窗口，在外延层的有源区内酿成阱区；在外延层的有源区内酿成栅极沟槽和栅极。本发明约略擢升沟槽型SiCMOSFET器件性能与可靠性，AG真人国际中国官网首页下载裁汰加工周期和诽谤成本。
天眼查良友显现，深圳市金誉半导体股份有限公司，确立于2011年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册老本9438.8571万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，深圳市金誉半导体股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标面目8次，财产陈迹方面有商标信息66条，专利信息120条，此外企业还领有行政许可51个。
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