AG真人首页App下载 中微公司恳求钛层千里积工艺有关专利, 轮回千里积、刻蚀使金属钛层达工艺条目

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6月17日音问,国度常识产权局信息显现,中微半导体蛊惑(上海)股份有限公司恳求一项名为“一种金属钛层的千里积工艺”的专利。恳求公布号为CN122214841A,恳求号为CN202510559967.1,恳求公布日历为2026年6月16日,恳求日历为2025年4月29日,发明东谈主沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好常识产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。

专利纲目显现,本发明公开了一种金属钛层的千里积工艺,包含:将一基片置于半导体管束蛊惑的响应腔中,所述基片具有多少由侧壁与底部界定的启齿;千里积局面:向所述响应腔中通入钛源先行者体及收复气体,在射频源作用下,所述钛源先行者体与所述收复气体解离,发生化学响应,在所述启齿的侧壁与底部千里积金属钛层;刻蚀局面:关闭所述射频源,AG真人·国际(中国)官方网站向所述响应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学响应,使所述金属钛层厚度减薄;N次轮回进行所述千里积局面、刻蚀局面,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶遮蔽率。本发明通过N次轮回进行的千里积局面、刻蚀局面,不错竣事在复杂的三维结构中变成的金属钛层的厚度和台阶遮蔽率均能达到工艺条目。

天眼查数据显现,中微半导体蛊惑(上海)股份有限公司缔造日历2004年5月31日,法定代表东谈主尹志尧,所属行业为专用蛊惑制造业,企业范畴为大型,注册成本62614.5307万东谈主民币,实缴成本62691.781万东谈主民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号。中微半导体蛊惑(上海)股份有限公司共对外投资了30家企业,参与招投标神色86次,财产痕迹方面有商标信息114条,专利信息1706条,领有行政许可88个。

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中微半导体蛊惑(上海)股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利称号专利类型法律气象恳求号恳求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1一种射频功率供应系统发明专利执行审查的告成、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相千里积蛊惑实用新式授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3晶圆托盘外不雅专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇4聚焦环外不雅专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳5聚焦环外不雅专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳6聚焦环外不雅专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳7气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元8气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成9气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元10接地环外不雅专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元11一种气相千里积装配实用新式授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何大业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊12一种聚焦环功率出动组件实用新式授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟13一种等离子体管束装配偏激贬抑环组件实用新式授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁14一种真空吸盘、基座组件和薄膜千里积装配实用新式授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远15一种金属钛层的千里积工艺发明专利公布CN202510559967.12025-04-29CN122214841A2026-06-16沈成绪、许灿16响应腔、崇高宽比结构偏激变成次序发明专利授权、执行审查的告成、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强17基片托盘外不雅专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开18基片托盘外不雅专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开19环组件及外延滋长蛊惑实用新式授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开20一种下电极组件及等离子体管束蛊惑实用新式授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可21一种半导体管束蛊惑偏激气体喷淋头实用新式授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子22电磁线圈组件及半导体加工蛊惑实用新式授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥23一种磁控管组件及磁控溅射蛊惑实用新式授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语24一种基片管束系统实用新式授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星25一种气相千里积蛊惑及半导体管束系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅26一种升降运转组件和半导体工艺蛊惑实用新式授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳27下电极组件及等离子体管束蛊惑实用新式授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟28一种掩膜结构变成次序发明专利执行审查的告成、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海29掩膜结构偏激变成次序发明专利执行审查的告成、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海30一种掩膜结构偏激制备次序、半导体蛊惑发明专利执行审查的告成、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙31等离子体贬抑结构及等离子体管束蛊惑实用新式授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟32一种环组件及成膜装配实用新式授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟33一种旯旮环组件、下电极组件、等离子体管束装配和制备次序发明专利授权、执行审查的告成、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟34一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体管束蛊惑实用新式授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强35一种半导体加工蛊惑偏激完了次序发明专利授权、执行审查的告成、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强36一种化学气相千里积装配实用新式授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫37一种基座及化学气相千里积蛊惑实用新式授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮38一种下电极组件、等离子体管束蛊惑偏激电压完了次序发明专利授权、执行审查的告成、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬39一种进犯结构及化学气相千里积装配实用新式授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开40缓冲装配实用新式授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何大业41一种化学气相千里积装配发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇42一种化学气相千里积装配实用新式授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉43一种气体流量完了阀、气体运输装配及气体供应次序发明专利执行审查的告成、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪44化学气相千里积蛊惑实用新式授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远45一种晶圆承载组件及半导体管束蛊惑实用新式授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋46一种用于气柜可燃性测试的系统及次序发明专利执行审查的告成、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊47一种射频发生器、半导体管束蛊惑及使用次序发明专利授权、执行审查的告成、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军48一种半导体工艺平台实用新式授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何大业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊49一种半导体管束蛊惑偏激固态先行者体运输系统和运输次序发明专利授权、执行审查的告成、执行审查的告成、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫50一种用于半导体管束蛊惑的气体运输装配慈祥体通路模块实用新式授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫AG真人首页App下载